朗美通日本工厂委托出售2台日本大阳日酸的化合物半导体MOCVD

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【交易方式】协商交易 【出售地点】日本 【截止日期】2026-10-30

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销售链接:Two High-Performance Taiyo Nippon Sanso HR4469G MOCVD Epitaxy Systems from Lumentum Japan

 

 

设备简介以及照片

化合物半导体MOCVD

设备厂商:Taiyo Nippon Sanso 日本大阳日酸
型号: HR4469G
序列号: 15Q188A-00/ 15Q189A-00
年份: 2023年

数量:2套

 

1. 设备概述

HR4469G 是一款高性能 MOCVD(金属有机化学气相沉积)系统,专为 III-V 族化合物半导体的外延生长而设计。该系统配备卧式反应室,可在减压(低压)条件下处理单片 4 英寸晶圆。系统集成了气体供应、加热、真空抽气、安全联锁以及基于计算机的控制系统。

 

2. 主要特点 

卧式石英反应室: 采用 HR4000 型号。

晶圆自动传输: 配备手套箱(Glove Box)和传递箱(Pass Box)。

完善的安全系统: 符合日本《高压气体保安法》标准。

整机系统供应: 提供涵盖气体处理、真空及控制技术的全套系统。

 

3. 系统配置

标准配置包括:原材料供应控制系统(金属有机源与氢化物气体)、RF(射频)感应加热系统、真空抽气系统、安全联锁装置以及基于 PLC 的控制系统。

 

4. 反应室 / 手套箱

反应室: HR4000 水冷式卧式石英反应室,用于单片 4 英寸晶圆加工。

反应温度范围: 450 ‒ 1000°C。

基座: 表面带有 SiC(碳化硅)涂层的旋转石墨承载座。

晶圆装载: 通过配备涡轮分子泵系统的进样腔(Load-lock 承载腔)实现晶圆的自动装料与卸料。

 

5. 加热系统

加热方式: 射频(RF)感应加热系统(功率约 30 kW),采用 PID 温度控制。

温度稳定性: ±0.5°C。

 

6. 真空抽气系统

泵组配置: 工艺排气采用干泵系统(Dry Pump),高真空作业采用涡轮分子泵(TMP)。

压力控制: 通过比例控制阀实现自动压力调节。

 

7. 安全系统

监控机制: 实时监测有毒/易燃气体泄漏、地震、异常压力及异常温度。

联动保护: 视具体异常情况,自动联锁装置将触发安全停机、氮气吹扫或停止加热。

 

8. 测量与控制

硬件配置: 15 英寸 TFT 触摸屏、PLC,以及专用电脑。

控制功能: 支持自动工艺配方控制(最高支持 200 步工序)。

数据记录: 支持 CSV 格式的数据日志导出。

 

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